Si基多量子阱SiGe/Si波导光电探测器的制备和研究

• 作者: 蔡志猛 陈荔群
• 来源期刊: 光电子·激光
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe/Si多量子阱(MQW) 波导探测器 光谱响应
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 光电子器件与系统
• 页码范围: 1072-1075
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.16136/j.joel.2017.10.0045

摘要

采用分子束外延MBE技术,在Si衬底上外延高质量的20周期SiGe/Si多量子阱(MQW)层;以SiGe/Si MQW材料作为吸收区,在Si基上制备波导型PIN光电探测器;金属A1制作在器件的台面上下,形成金属-半导体肖特基接触.测试结果表明,器件在-2V偏压下,对台面面积为7 500μm2,暗电流为0.1 μA;在0V偏压下,探测器的光响应谱的吸收峰值为1 008 nm,并可以观察到随着吸收长度的增大,响应信号也随之增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡志猛		12	45	1.0	6.0
2	陈荔群		6	0	0.0	0.0