一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管

• 作者: 李妤晨 杨拥军 沈路
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碰撞电离晶体管(IMOS) 绝缘体上Ge (GOI) 雪崩击穿 阈值电压 亚阚值摆幅
• 年，卷（期）: 2017,（9）
• 所属期刊栏目: 器件与技术
• 页码范围: 581-584
• 页数: 4页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2017.09.001

摘要

碰撞电离晶体管(IMOS)在高速、低功耗领域具有很好的应用前景.以优化传统IMOS的工作电压为目的,介绍了一种基于绝缘体上Ge的碰撞电离晶体管(GOI IMOS),利用Synopsys公司的ISE TCAD对GOI IMOS的性能进行仿真分析与验证.结果表明,GOI IMOS相比于传统的绝缘体上Si的碰撞电离晶体管(SOI IMOS)可在更低的源漏偏压下工作,同时该器件能够实现大的开态电流与陡峭的亚阈值摆幅;另外,GOI IMOS的源漏偏压和栅长均对该器件阈值电压有较大的影响,p型GOI IMOS阈值电压的绝对值随着源漏电压和栅长的增大而减小.以上工作可为IMOS的设计、仿真、制备提供一定的理论指导.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨拥军	中国电子科技集团公司第十三研究所	44	220	7.0	13.0
2	沈路	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	4	1.0	1.0
3	李妤晨	西安科技大学电气与控制工程学院	4	2	1.0	1.0