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摘要:
运用第一性原理,基于密度泛函理论,计算了Cu分别以替位和空位两种方式掺杂SnO2的电子结构和光电特性,并对两种掺杂方式做了一定的比较研究;磁性方面,主要研究了Cu、S共掺SnO2后的磁学性能.计算表明,两种方式掺杂,都使SnO2具有半金属特性,Cu原子将与周围的O原子发生强烈的交换作用,Cu原子对态密度的贡献主要在费米能级附近.相比之下,空位掺杂后的晶胞体积略大于替位掺杂后的SnO2,对光的能量损耗也比替位掺杂的低.对于Cu、S共掺的体系,计算表明:每个Cu原子的掺入将产生0.46μB的磁矩,而一个S原子将引入0.36μB的磁矩,Cu原子周围的O原子也对磁矩有一定的贡献.经过分析,发现体系的磁性来源主要是Cu-3d和S-3p,以及Cu-3 d与O-2 p间的强烈耦合作用.
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文献信息
篇名 Cu替位与空位及Cu、S共掺SnO2的光磁性质研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 二氧化锡 第一性原理 电子结构 介电函数 磁矩
年,卷(期) 2017,(10) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 1978-1983
页数 6页 分类号 O47
字数 3723字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-985X.2017.10.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 苗峰 西南民族大学电气信息工程学院 20 41 3.0 6.0
2 黄毅 西南民族大学电气信息工程学院 55 180 7.0 12.0
3 魏里来 西南民族大学电气信息工程学院 2 0 0.0 0.0
4 张邦建 西南民族大学电气信息工程学院 1 0 0.0 0.0
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二氧化锡
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磁矩
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期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
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