硅烷热解多晶硅气相沉积反应模型分析与验证

• 作者: 樊友雯 陈彩霞
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅烷 多晶硅 硅微粉 数值模拟
• 年，卷（期）: 2017,（2）
• 页码范围: 197-203
• 页数: 7页
• 分类号: O734
• 字数: 4597字
• 语种: 中文

摘要

在综述现有硅烷热解反应机理的基础上,针对Ho等人提出的气相和表面反应机理,采用二维边界层反应模型和CHEMKIN软件,对水平单基片CVD反应器进行模拟分析,计算结果与文献报道的实验数据拟合良好;通过改变硅烷进气浓度和进气温度,分析沉积速率的变化和各表面反应的贡献率,得到硅微粉再沉积过程随浓度和温度的变化规律;使用上述机理模型,计算了硅烷流化床对应的操作温度和硅烷浓度条件下的沉积速率,与文献报道测量结果比较,误差在合理范围,表明该机理适用于硅烷流化床化学气相沉积过程的CFD耦合模拟.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈彩霞	华东理工大学资源与环境工程学院煤气化及能源化工教育部重点实验室	12	75	5.0	8.0
2	樊友雯	华东理工大学资源与环境工程学院煤气化及能源化工教育部重点实验室	1	1	1.0	1.0