基于CNFET的高性能三值SRAM-PUF电路设计

• 作者: 康耀鹏 张会红 汪鹏君 龚道辉
• 来源期刊: 电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳纳米管场效应晶体管 三值逻辑 SRAM-PUF 随机性 唯一性
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 1090-1095
• 页数: 6页
• 分类号: TP331
• 字数: 3351字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0372-2112.2017.05.010

摘要

通过对碳纳米管场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)和物理不可克隆函(Physical Unclonable Functions,PUF)电路的研究,提出一种高性能三值SRAM-PUF电路结构.该电路结构首先利用交叉耦合三值反相器产生随机电流,并对其电流进行失配分析;然后结合三值SRAM单元的电流竞争得到随机的、不可克隆的三值输出信号"0"、"1"和"2".在 32nm CNFET 标准模型库下,采用HSPICE对所设计的三值SRAM-PUF电路进行Monte Carlo仿真,分析其随机性、唯一性等性能.模拟结果表明所设计的三值SRAM-PUF电路归一化随机性偏差和唯一性偏差均为0.03%,且与传统二值CMOS设计的PUF电路相比工作速度提高33%,激励响应对数量为原来的(1.5)n倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪鹏君	宁波大学电路与系统研究所	137	551	11.0	14.0
2	张会红	宁波大学电路与系统研究所	38	125	7.0	9.0
3	龚道辉	宁波大学电路与系统研究所	4	13	2.0	3.0
4	康耀鹏	宁波大学电路与系统研究所	6	8	2.0	2.0