基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计

• 作者: 康耀鹏 张会红 李刚 汪鹏君
• 来源期刊: 华东理工大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: CNFET 三值数据比较 CAM 三值逻辑
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 信息科学与工程
• 页码范围: 724-729
• 页数: 6页
• 分类号: TN334.3
• 字数: 1931字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14135/j.cnki.1006-3080.20170820001

摘要

通过对三值静态随机存储器(Static Random Access Memory,SRAM)单元和数据比较电路结构以及碳纳米场效应晶体管(Carbon Nanotube Field Effect Transistor,CNFET)的研究,提出了基于CNFET的三值内容寻址存储器单元设计方案.首先利用CNFET阈值可调特性和开关信号理论设计三值缓冲器,采用反馈控制连接技术实现三值SRAM存储;然后结合三值SRAM单元和三值逻辑原理设计三值内容寻址存储器单元;最后实验验证,所设计的三值内容寻址存储器单元具有正确的逻辑功能,且与三态内容寻址存储器单元相比功耗延时积(Power-Delay Product,PDP)降低约83％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪鹏君	宁波大学电路与系统研究所	137	551	11.0	14.0
2	张会红	宁波大学电路与系统研究所	38	125	7.0	9.0
3	康耀鹏	宁波大学电路与系统研究所	6	8	2.0	2.0
4	李刚	宁波大学电路与系统研究所	20	38	4.0	4.0