基于关键路径与改进遗传算法的最佳占空比求解

• 作者: 应健锋 徐辉 李丹青 李扬
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路 老化效应 最佳占空比 负偏置温度不稳定性 多输入向量控制 遗传算法
• 年，卷（期）: 2017,（10）
• 所属期刊栏目: 计算与测试
• 页码范围: 124-128
• 页数: 5页
• 分类号: TN407
• 字数: 3473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2017)10-0124-05

摘要

纳米工艺下,负偏置温度不稳定性(NBTI)成为影响电路老化效应的主导因素.多输入向量控制(M-IVC)是缓解由于NBTI效应引起电路老化的有效方法,而M-IVC的关键是最佳占空比的求解.在充分考虑时序余量的设计与电路实际操作情况下,对电路采用了静态时序分析,精确定位电路中关键路径.对关键路径采用改进的自适应遗传算法求解最佳占空比.实验结果表明:在时序余量为5%时,电路的平均老化率相比现有方案降低了1.49%,平均相对改善率为18.29%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐辉	安徽理工大学计算机科学与工程学院	38	54	4.0	6.0
2	李扬	江苏商贸职业学院信息系	13	40	2.0	6.0
3	应健锋	合肥工业大学电子科学与应用物理学院	6	2	1.0	1.0
4	李丹青	安徽理工大学计算机科学与工程学院	3	2	1.0	1.0