负带隙HgCdTe体材料的磁输运特性研究

• 作者: 俞国林 孙艳 康亭亭 张晓东 戴宁 沈丹萍 褚君浩
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: HgCdTe Shubnikov-de Haas振荡 零场自旋分裂能
• 年，卷（期）: 2017,（24）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 237-243
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.66.247301

摘要

通过单晶生长了Cd组分为0.1的p型HgCdTe体材料,并制备了具有倒置型能带序的HgCdTe场效应器件.通过磁输运测试,在负带隙HgCdTe体材料中观察到明显的量子霍尔平台效应和Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,证明样品具有较好的质量.利用SdH振荡对1/B关系的快速傅里叶变换,得到了样品的零场自旋分裂能约为26.55 meV,证明样品中存在强自旋-轨道耦合作用.进一步分析SdH中的拍频节点估算了样品中的有效g因子约为–11.54.