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摘要:
提出采用改进的化学气相沉积(chenmical vaper deposition,CVD)方法,利用甲烷为碳源在展平的Cu箔表面直接制备双层石墨烯薄膜.通过细致研究甲烷气体流量、生长时间等参数对双层石墨烯成核密度的影响,进一步探讨双层石墨烯生长的机理和条件.研究利用扫描电子显微镜(scanning electron microscope,SEM)、光学显微镜、Raman光谱对石墨烯的表面形貌、结构和堆叠方式进行了表征,提出双层石墨烯的"高效生长时间"为双层石墨烯成核完成后到第1层石墨烯完全覆盖Cu箔之间的时间段.通过优化生长条件,制备出高成核密度(双层与单层石墨烯成核密度比接近0.95)和高覆盖度的双层石墨烯(其中AB堆叠双层石墨烯比例高达82.7%),实现展平Cu薄基底上高覆盖度双层石墨烯的可控制备.
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文献信息
篇名 Cu基底双层石墨烯的可控制备
来源期刊 中国科技论文 学科 物理学
关键词 纳米材料 双层石墨烯 化学气相沉积 成核密度
年,卷(期) 2017,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 459-462
页数 4页 分类号 O484.1
字数 3777字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 林俊 厦门大学物理科学与技术学院 2 9 2.0 2.0
2 王伟伟 厦门大学物理科学与技术学院 2 4 1.0 2.0
3 陈鹭琛 厦门大学物理科学与技术学院 1 4 1.0 1.0
4 应豪 厦门大学物理科学与技术学院 3 6 2.0 2.0
5 陈珊珊 厦门大学物理科学与技术学院 5 29 2.0 5.0
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