铌酸锂晶片抛光的主要物理及化学因素分析

• 作者: 张伟才 杨洪星 杨静 王雄龙 田原 范红娜 韩焕鹏
• 来源期刊: 材料导报
• 学科: 工学
• 关键词: 铌酸锂 化学机械抛光 粗糙度 总厚度变化
• 年，卷（期）: 2017,（z2）
• 页码范围: 273-276
• 页数: 4页
• 分类号: TB321
• 字数: 2424字
• 语种: 中文

摘要

光学器件的飞速发展对基体材料铌酸锂不断提出更高要求.为获得满足器件使用要求的超光滑、高平整晶片表面,采用化学机械抛光方法对铌酸锂进行加工.研究过程中,对负载压力、抛光布表面结构、抛光液流量、pH 值等工艺参数进行了优化调整,最终制备出平整度较高、表面粗糙度较小的铌酸锂抛光片.实验结果表明,选取 Suba 600抛光布、液流量3 mL/s、pH 值为10、底盘转速60 r/min、压力为0.16 MPa作为抛光工艺参数可获得高平整、超光滑的铌酸锂抛光片.平面度测量仪与原子力显微镜测试结果表明,所制备 LN抛光片的总厚度变化(TTV)为6.398 μm,粗糙度(Ra)为0.196 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田原	中国电子科技集团公司第四十六研究所	17	24	3.0	4.0
2	韩焕鹏	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	43	4.0	5.0
3	杨静	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	39	4.0	5.0
4	杨洪星	中国电子科技集团公司第四十六研究所	50	145	6.0	8.0
5	张伟才	中国电子科技集团公司第四十六研究所	22	42	4.0	4.0
6	范红娜	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	2	1.0	1.0
7	王雄龙	中国电子科技集团公司第四十六研究所	9	3	1.0	1.0