铌酸锂晶片的键合减薄及热释电性能研究

• 作者: 刘岗 张文栋 杨绪军 牛坤旺 陈箫
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: LN晶片 键合 减薄 抛光 热释电性能
• 年，卷（期）: 2011,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试剂
• 页码范围: 31-34
• 分类号: TN305
• 字数: 2347字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2011.10.009

摘要

铌酸锂(LN)作为一种热释电材料,可以被用于制作光电探测器敏感单元的敏感层,但通常LN晶片厚度为0.5 mm,远大于光电敏感单元厚度的要求,所以需要用键合减薄及抛光技术对LN晶片进行加工处理.本研究所用键合减薄技术主要包含:RZJ-304光刻胶键合、铣磨、抛光、剥离液剥离和丙酮清洗RZJ-304胶.利用该技术加工得到了面积为10 mm×10 mm,厚度为50 μm,表面比较光滑,表面粗糙度为1.63 nm的LN晶片.LN晶片的热释电信号峰峰值在减薄抛光后为176 mV,是未经处理时的4倍,满足了热释电探测器敏感层的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张文栋	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	167	1172	16.0	26.0
2	陈箫	中北大学信息与通信工程学院	5	56	4.0	5.0
3	刘岗	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	3	21	2.0	3.0
4	杨绪军	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	1	17	1.0	1.0
5	牛坤旺	中北大学电子测试技术国防科技重点实验室	2	19	2.0	2.0