多晶硅应变因子计算研究

• 作者: 江健 王健 穆罕默德
• 来源期刊: 电子世界
• 关键词: 多晶硅 压阻特性 隧道压阻理论 应变因子
• 年，卷（期）: 2017,（3）
• 所属期刊栏目: 探索与观察
• 页码范围: 75-76
• 页数: 2页
• 字数: 1483字
• 语种: 中文

摘要

伴随多晶硅力敏电阻在高温压力传感器和微机械传感器上的应用,学者对其压阻效应原理进行深入研究.本文论述了P型多晶硅隧道压阻模型和应变因子理论计算存在问题,提出了一种应变因子改进算法,与实验结果比较表明该算法的科学性,为多晶硅广泛应用打下一定的理论基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王健		49	161	7.0	11.0
2	江健		1	0	0.0	0.0
3	穆罕默德		1	0	0.0	0.0