碳化硅晶片减薄工艺试验研究

• 作者: 梁津 赵岁花 高岳
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 研磨 减薄 试验研究
• 年，卷（期）: 2018,（1）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 3-6,24
• 页数: 5页
• 分类号: TN305
• 字数: 2537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2018.01.003

摘要

研究了用减薄磨削的方式代替碳化硅晶片制片过程中的研磨工序,对线切割后的碳化硅晶片进行磨削试验;对比了减薄和研磨磨削的加工效率,分析了晶片表面粗糙度和晶片厚度变化量.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	梁津	中国电子科技集团公司第四十五研究所	2	3	1.0	1.0
2	赵岁花	中国电子科技集团公司第四十五研究所	6	21	2.0	4.0
3	高岳	中国电子科技集团公司第四十五研究所	4	2	1.0	1.0