GaN基材料中V型缺陷对LED光电性能的影响

• 作者: 汪洋
• 来源期刊: 厦门大学学报（自然科学版）
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 发光二极管 V型缺陷
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 383-389
• 页数: 7页
• 分类号: O472
• 字数: 3851字
• 语种: 中文
• DOI: 10.6043/j.issn.0438-0479.201707003

摘要

发光效率是LED器件的核心指标,为了提升GaN-LED的发光效率,研究了具有不同V型缺陷密度的材料与器件的光致发光及电致发光特性,分析了影响发光效率的因素,研究发现V型缺陷一方面通过提升载流子(特别是空穴)注入效率而改善发光效率,另一方面又会通过减少有效发光面积而降低发光效率,这一竞争机制共同影响具有V型缺陷结构的GaN-LED的发光效率.结果表明,尺寸为0.25 mm×0.75 mm的芯片在150 mA驱动条件下,随着V型缺陷密度的增加,发光功率和外量子效率先上升后下降.对于最优化缺陷密度(4.2×108 cm-2)的样品,其发光功率和外量子效率分别为183.5 mW和45.0％,较最小缺陷密度(1.7×108 cm-2)样品的发光功率172.2 mW和外量子效率42.2％,均约提升6.6％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪洋	厦门大学半导体光电材料及其高效转换器件协同创新中心	5	19	2.0	4.0