硅通孔负载全局均衡的3D NoC延迟上界优化方法

• 作者: 张多利 杜高明 欧阳一鸣 王晓蕾 胡巧
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 三维片上网络 延迟上界 负载全局均衡 冲突矩阵
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 270-275
• 页数: 6页
• 分类号: TP301
• 字数: 5326字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2018.02.013

摘要

针对三维片上网络(3D NoC)中硅通孔(TSV)的特殊结构,提出了一种3D NoC延迟上界优化方法,通过全局均衡硅通孔负载,降低全局业务流的延迟上界.建立3D NoC的网格通信模型,搜索网络中所有业务流的可行路径,提出一种基于度的冲突矩阵,求出目标子流路径的TSV冲突系数,按照路径中TSV冲突系数的大小把目标流流量分配到部分最优路径上.实验结果表明,基于度的冲突矩阵可以有效减少存储空间,将存储复杂度从D(n2)降低到D(n),并且可以清晰直观地表现出业务流在网络中的冲突情况.采用硅通孔负载全局均衡的3D NoC延迟上界优化方法,目标业务流的延迟上界得到了显著优化,最大的优化效果可将延迟上界降低58.9％.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜高明	合肥工业大学微电子设计研究所	37	327	7.0	17.0
2	王晓蕾	合肥工业大学微电子设计研究所	14	78	4.0	8.0
3	欧阳一鸣	合肥工业大学微电子设计研究所	109	924	18.0	24.0