基于Al诱导结晶在SiO2衬底上生长(111)晶向平面多晶Ge薄膜的研究

• 作者: 庄君活 曾亚光 董少光
• 来源期刊: 佛山科学技术学院学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: Al诱导结晶 多晶Ge薄膜 扩散控制层 低温退火
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 数理科学
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TB303
• 字数: 3243字
• 语种: 中文

摘要

主要研究在SiO2衬底上利用Al诱导结晶方法生长50 nm厚的多晶Ge薄膜的过程.研究的重点主要集中在对多晶Ge薄膜进行适当的低温退火处理以及Ge和Al薄膜之间的扩散控制层精准厚度的把握上.当把退火温度控制在325℃、AlOx扩散控制层的厚度精准到1 nm时,就可以获得多晶Ge薄膜的(111)晶向平面所占的比例超过90％.此外,通过电子背散射衍射(EBSD)测量可以证实,利用该方法生长的多晶Ge薄膜的晶体颗粒的直径有12μm之大.研究结果说明利用Al诱导结晶方法在SiO2衬底上生长的多晶Ge薄膜,如果将其用于制作电学和光学器件的模板层,将在半导体器件工艺上具有非常好的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	董少光	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	24	34	3.0	5.0
2	曾亚光	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	33	65	5.0	7.0
3	庄君活	佛山科学技术学院物理与光电工程学院	5	5	2.0	2.0