低阻硅TSV与铜TSV的热力学变参分析

• 作者: 于思齐 王士伟 谢奕 陈志铭
• 来源期刊: 北京理工大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三维集成 硅通孔 热力学特性 有限元分析
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 光学与电子
• 页码范围: 1177-1181
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2738字
• 语种: 中文
• DOI: 10.15918/j.tbit1001-0645.2018.11.012

摘要

硅通孔(through-silicon-via,TSV)是三维集成技术中的关键器件.本文对低阻硅TSV与铜TSV的热力学特性随各项参数的变化进行了比较.基于基准尺寸,比较了低阻硅TSV和铜TSV在350℃的工作温度下,最大von Mises应力和最大凸起高度之间的不同.基于这两种结构,分别对TSV的直径、高度、间距进行了变参分析,比较了不同参数下,两种TSV的热力学特性.结果表明,低阻硅TSV具有更好的热力学特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志铭	北京理工大学信息与电子学院	10	25	3.0	4.0
2	王士伟	北京理工大学光电学院	5	8	2.0	2.0
3	谢奕	北京理工大学信息与电子学院	1	0	0.0	0.0
4	于思齐	北京理工大学信息与电子学院	1	0	0.0	0.0