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摘要:
在Si(110)衬底上通过原位掺杂的方法可得到磷掺杂和硼掺杂硅片,测量了本征、磷掺杂和硼掺杂硅片的变温荧光光谱,研究了不同温度时杂质对硅片性质的影响.本征硅片的荧光发射光谱中只存在1个特征峰,进行掺杂后,由于能级发生分裂,在主峰左侧分裂出杂质峰.2种情况下均表现为杂质峰的波长随温度升高逐渐增加,而主峰的波长随温度升高逐渐减小.随着温度升高到135 K,杂质峰消失并逐渐并入到主峰中,而且它们的主峰波长在275 K时都与本征硅片的特征峰波长趋于一致.
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关键词热度
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文献信息
篇名 硼掺杂和磷掺杂对硅衬底的变温荧光光谱特性的影响
来源期刊 河北大学学报(自然科学版) 学科 物理学
关键词 硅衬底 掺杂 变温 荧光光谱
年,卷(期) 2018,(4) 所属期刊栏目 物理科学
研究方向 页码范围 362-367
页数 6页 分类号 O562.3+2
字数 2681字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1000-1565.2018.04.004
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研究主题发展历程
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硅衬底
掺杂
变温
荧光光谱
研究起点
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引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
河北大学学报(自然科学版)
双月刊
1000-1565
13-1077/N
大16开
河北省保定市五四东路180号
18-257
1962
chi
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2682
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15416
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