一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片设计

• 作者: 张波 明鑫 汪尧 王卓 蔡胜凯 马亚东
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: DDR内存驱动 跨导线性环 快速瞬态响应
• 年，卷（期）: 2018,（4）
• 所属期刊栏目: 电路设计
• 页码范围: 13-17
• 页数: 5页
• 分类号: TN402
• 字数: 2780字
• 语种: 中文

摘要

介绍了一种适用于DDR内存驱动的LDO芯片.采用跨导线性环结构增大摆率,具有快速的瞬态响应.控制环路上下通道不匹配,采用单边米勒补偿方式,形成环路主极点和零点,再引入电阻R3形成补偿零点,环路整体表示为单极点系统,具有很好的稳定性.该LDO的典型输入电压为1.2 V,输出电压为0.6 V,负载电容为10 μF,具有1.5 A的电流抽取和灌出能力,同时集成了2.6 A的电流限功能,满足了DDR内存的应用需求.采用0.35 μm BCD工艺进行仿真验证,仿真结果表明该设计具有很好的瞬态调整能力和稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张波	电子科技大学功率集成实验室	206	1313	17.0	26.0
2	明鑫	电子科技大学功率集成实验室	49	207	7.0	12.0
3	王卓	电子科技大学功率集成实验室	22	47	4.0	5.0
4	蔡胜凯	电子科技大学功率集成实验室	1	1	1.0	1.0
5	马亚东	电子科技大学功率集成实验室	1	1	1.0	1.0
6	汪尧	电子科技大学功率集成实验室	1	1	1.0	1.0