温度对ErAlN薄膜晶体结构和电学性能的影响

• 作者: 杨成韬 泰智薇 胡现伟
• 来源期刊: 压电与声光
• 学科: 工学
• 关键词: 温度 ErAlN薄膜 晶体结构 电学性能 c轴取向
• 年，卷（期）: 2018,（2）
• 页码范围: 262-264
• 页数: 3页
• 分类号: TN65|TM135|TB43
• 字数: 2029字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11977/j.issn.1004-2474.2018.02.027

摘要

采用射频反应磁控溅射在蓝宝石(0001)衬底上沉积生长了掺杂Er的AlN薄膜.利用X线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和阻抗分析仪对不同衬底温度下制备薄膜的晶体结构和电学性能进行了分析表征.结果表明,随着温度的增加,晶体取向和表面粗糙度愈来愈好,当温度继续上升时,晶体取向和表面粗糙度质量开始变差;电阻率和漏电流随着温度的增加性能先变优后下降.在衬底温度为200℃时,薄膜结构和电学性能最佳.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨成韬	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	67	255	8.0	12.0
2	泰智薇	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	2	1.0	1.0
3	胡现伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	2	2	1.0	1.0