带隙基准源单粒子敏感性分析

• 作者: 刘家齐 曹炜亦 李同德 王亮 赵元富 隋成龙 韩旭鹏
• 来源期刊: 电子技术应用
• 学科: 工学
• 关键词: 单粒子瞬态 带隙基准源 垂直型PNP管
• 年，卷（期）: 2018,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子技术
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN406
• 字数: 1228字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16157/j.issn.0258-7998.183103

摘要

基于一款0.18 μm工艺下常规设计带隙基准源,使用单粒子瞬态脉冲电流模型分析了常见CMOS两级放大器的单粒子敏感性.对于带隙基准源中使用的垂直型PNP管使用TCAD软件建立了三维模型,并通过仿真验证了其应用在带隙基准源中的单粒子敏感性.最后,针对带隙基准源单粒子敏感特性,提出了整体加固建议.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵元富		28	104	6.0	8.0
2	王亮		9	31	3.0	5.0
3	刘家齐		4	5	2.0	2.0
4	李同德		3	3	1.0	1.0
5	隋成龙		1	0	0.0	0.0
6	韩旭鹏		1	0	0.0	0.0
7	曹炜亦		1	0	0.0	0.0