基于改进粒子群优化算法nMOSFET寿命预测

• 作者: 曹建生 李凯群
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电子器件 寿命预测 改进粒子群优化算法 BP神经网络
• 年，卷（期）: 2018,（5）
• 所属期刊栏目: 固态电子器件及材料
• 页码范围: 1119-1123
• 页数: 5页
• 分类号: TB114.3
• 字数: 3012字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2018.05.008

摘要

对于电子器件寿命预测问题,提出了基于改进粒子群优化算法的BP神经网络电子器件寿命预测方法.首先对nMOSFET器件在不同应力条件下进行寿命试验,根据试验测试获得的寿命数据,得出对应的可靠性.通过结合改进粒子群优化算法和BP神经网络结合,建立电子器件寿命预测模型,应用该模型对相同应力条件的电子器件寿命进行预测,同时对应力加速条件下寿命的预测.通过试验证明,该算法具有更强的非线性拟合能力和更高的准确率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹建生	河南工业职业技术学院电子信息工程系	12	23	3.0	3.0
2	李凯群	华中科技大学电气与电子工程学院	1	1	1.0	1.0