基于新型1200V碳化硅（SiC）MOSFET的三相双向逆变器的研究

• 作者: 刘学超 叶春显 黄建立
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 宽禁带 双向逆变器 反并联二极管 第3象限
• 年，卷（期）: 2018,（6）
• 页码范围: 143-151
• 页数: 9页
• 分类号: TN386.1

摘要

研究了基于新一代宽禁带1200V碳化硅（SiC）MOSFET三相双向逆变器，由于SiCMOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性，逆变电路的拓扑结构得到简化，并提高了功率密度和可靠性。同时，利用碳化硅MOSFET的双向第三象限导通特性，与硅基IGBTSN比省略了开关器件的反并联二极管。20kVA实验样机验证了在该中大功率三相双向逆变器中SiCMOSFET相比硅基IGBT方案的优势。