温度对硅外延图形漂移的影响及监控

• 作者: 段路强
• 来源期刊: 集成电路应用
• 学科: 工学
• 关键词: 集成电路制造 外延 图形漂移 晶向
• 年，卷（期）: 2018,（3）
• 所属期刊栏目: 工艺与制造
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN405
• 字数: 3137字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19339/j.issn.1674-2583.2018.03.013

摘要

<111>硅外延过程中图形漂移是影响外延质量的一个重要参数,在IC制造过程中,由于外延后的图形漂移使得后续光刻图形对偏情况时有发生,影响产品质量.本文通过对Si晶体的结构进行分析,解释了外延生长过程中图形漂移的原理,验证了温度对图形漂移量的影响,并根据理论分析,提出了一种新的外延漂移量监控方式.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	段路强		2	0	0.0	0.0