退火温度对碳注入外延硅蓝光发射特性的影响

• 作者: 李忠 李玉国 薛成山 赵显
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 注碳外延硅 蓝光发射 纳米硅镶嵌结构 氮气氛中退火
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 纳米技术
• 页码范围: 46-47,50
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.24
• 字数: 1782字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.07.016

摘要

获得了不同退火温度注碳外延硅的蓝光发射谱,分析了退火温度对其蓝光发射特性的影响,发现退火温度为1 000℃样品具有最强的发射强度.认为经碳注入所引入的杂质C = O复合体是发光的重要因素;经碳注入氮气氛中退火及电化学腐蚀处理形成纳米硅镶嵌结构,因量子限制效应–表面复合效应而发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李玉国	山东师范大学物理与电子科学学院	44	186	7.0	11.0
2	薛成山	山东师范大学物理与电子科学学院	117	476	11.0	13.0
3	李忠	山东师范大学物理与电子科学学院	55	330	8.0	17.0
4	赵显	山东大学晶体材料国家重点实验室	31	87	5.0	8.0