离子注入硅的碘钨灯快速热退火温度计算

• 作者: 罗益民 陈振华 黄培云
• 来源期刊: 中南大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 离子注入 快速热退火 温度
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 材料·矿物·冶金·化学
• 页码范围: 548-551
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.02
• 字数: 2176字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7207.2004.04.006

摘要

离子注入并通过快速热退火引发固相外延生长,退火温度及温度分布对固相外延生长的结晶速率及退火材料的性质有很大影响.利用等温模型,根据入射能流密度与辐射损失能流密度之间的平衡,得出了离子注入硅的碘钨灯快速热退火的退火温度与衬底温度以及碘钨灯功率的关系.研究结果表明:在300～1 070 K的衬底温度范围内,退火温度主要由碘钨灯功率决定,而衬底温度对其影响不大;发生固相外延生长的最大碘钨灯功率或液相熔融再结晶的理论临界碘钨灯功率为2.6 kW,与实测值基本相符.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈振华	湖南大学材料科学学院	324	5465	34.0	57.0
2	罗益民	中南大学物理科学与技术学院	11	62	4.0	7.0
3	黄培云	中南大学粉末冶金研究院	17	598	10.0	17.0