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摘要:
基于SMIC 0.18μm CMOS工艺设计了一种高阶温度补偿的带隙基准电压源.仿真结果表明,在1.2V电源电压下,带隙基准电压源的温度系数为4.5ppm/℃;在低频处的电源抑制比为-62dB.
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一种带密勒补偿的带隙基准电压源
带隙基准
密勒补偿
CMOS工艺
一种高精度曲率补偿带隙基准电压源设计
帯隙基准电压源
曲率补偿
亚阈值区
漏极电流
一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计
CMOS带隙基准电压源
高阶曲率补偿
低温度系数
低电源电压
一种低压曲率校正带隙基准电压源
带隙基准源
曲率校正
温度系数
VPTAT
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种高阶温度补偿的带隙基准电压源
来源期刊 数字技术与应用 学科 工学
关键词 带隙基准源 温度补偿 温度系数
年,卷(期) 2018,(12) 所属期刊栏目 应用研究
研究方向 页码范围 36-37
页数 2页 分类号 TN402
字数 1410字 语种 中文
DOI 10.19695/j.cnki.cn12-1369.2018.12.21
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 周思敏 重庆邮电大学光电工程学院 1 2 1.0 1.0
2 徐海峰 重庆邮电大学光电工程学院 3 12 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
带隙基准源
温度补偿
温度系数
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
数字技术与应用
月刊
1007-9416
12-1369/TN
16开
天津市
6-251
1983
chi
出版文献量(篇)
20434
总下载数(次)
106
总被引数(次)
35701
论文1v1指导