SOI压力传感器阳极键合残余应力研究

• 作者: 吴佐飞 张林超 李玉玲 王明伟
• 来源期刊: 传感器与微系统
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘体上硅压力传感器 阳极键合 残余应力 应力匹配
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与探讨
• 页码范围: 18-20
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.94
• 字数: 1625字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13873/J.1000-9787(2018)11-0018-03

摘要

绝缘体上硅(SOI)压力传感器通常采用阳极键合实现圆片级气密封装,硅片和硼硅玻璃片通过阳极键合技术在360℃左右形成可靠的结合.硅片和硼硅玻璃片的热膨胀系数不能完全匹配,降温后的硅—玻璃圆片必然会存在残余应力.残余应力直接影响传感器性能、稳定性和可靠性.建立了残余应力计算模型,分析了残余应力与硼硅玻璃片厚度的关系;完成了键合试验,通过测量圆片曲率半径得到了弯曲应力的量值,验证了通过调整玻璃片厚度实现应力匹配的方法.样品测试结果表明:通过应力匹配减小了工艺残余应力,有效提高了压力传感器的长期稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张林超	中国电子科技集团公司第四十九研究所	6	10	2.0	3.0
2	李玉玲	中国电子科技集团公司第四十九研究所	9	13	2.0	2.0
3	王明伟	中国电子科技集团公司第四十九研究所	5	7	1.0	2.0
4	吴佐飞	中国电子科技集团公司第四十九研究所	7	13	2.0	3.0