MOCVD生长AlN改进化学反应模型的数值模拟探究

• 作者: 卢钦 时亚茹 王丹
• 来源期刊: 山东工业技术
• 关键词: MOCVD 化学模型 AlN 数值模拟
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 理论研究
• 页码范围: 204-206
• 页数: 3页
• 字数: 3368字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16640/j.cnki.37-1222/t.2018.11.180

摘要

针对MOCVD-AlN生长的寄生反应很严重的现象,改进化学模型,通过分析垂直转盘反应模型中各组分的浓度分布,发现改进后化学模型生长速率更加接近实验值.垂直喷淋式反应器内的流动和传导相对强烈,其中聚合物粒子浓度在上壁面下方以三聚物和二聚物最高,AlN粒子在反应器中分布较为均匀,垂直喷淋式反应器模拟得到的AlN生长速率比实验值低.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王丹	重庆能源职业学院能源工程系	10	7	1.0	2.0
2	时亚茹	重庆能源职业学院能源工程系	4	11	1.0	3.0
3	卢钦		1	1	1.0	1.0