氮化镓GaN的特性及其应用现状与发展

• 作者: 盛璟 蔡茂
• 来源期刊: 科学技术创新
• 学科: 物理学
• 关键词: 第三代半导体 氮化镓 碳化硅 射频微电子
• 年，卷（期）: 2018,（31）
• 所属期刊栏目: 科技创新
• 页码范围: 48-49
• 页数: 2页
• 分类号: O472
• 字数: 1942字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1673-1328.2018.31.028

摘要

现在碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体在军事和民品上的应用成为未来发展趋势.氮化镓GaN具有禁带宽度大、临界击穿电场大、饱和电子漂移速度高、化学性质稳定等特点,使得氮化镓GaN元器件具有通态电阻小、开关速度快、耐高温、耐压高性能好等优点,在光伏逆变、电力电子、微波通信、照明等应用领域,有着硅Si元器件无法比拟的优势,有着重要的战略意义,因此氮化镓GaN作为第三代半导体材料中的典型代表在将来会得到更宽广的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	蔡茂		3	8	1.0	2.0
2	盛璟		1	8	1.0	1.0