低压氮化镓器件谐振驱动技术及其反向导通特性

• 作者: 崔少威 王德玉 袁精 赵清林
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 谐振驱动 偏置电压 同步Buck
• 年，卷（期）: 2019,（z1）
• 所属期刊栏目: 电力电子
• 页码范围: 133-140
• 页数: 8页
• 分类号: TM46
• 字数: 3879字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.L80320

摘要

继硅(Si)和砷化镓(GaAs)之后,半导体材料出现了第三代以氮化镓(GaN)为代表的宽禁带半导体材料,其特点包括临界击穿电场高、饱和电子速度高、电子密度高、电子迁移率高及导热率高等,是一种适用于高频、高压、高温、大功率的抗辐射等级高的半导体材料.由于GaN器件的开关特性、驱动技术及损耗机制相比Si MOSFET有显著差异,如何实现合理的驱动,对发挥其优势至关重要.以同步Buck变换器为例提出一种谐振驱动技术,并给续流管栅极加一偏置电压,以减小反向压降、提高效率.实验结果表明,此谐振驱动技术可有效提高驱动的可靠性,加载偏置电压后变换器的效率也可得到有效提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵清林	燕山大学电力电子节能与传动控制河北省重点实验室	58	1697	16.0	41.0
2	王德玉	燕山大学电力电子节能与传动控制河北省重点实验室	16	175	5.0	13.0
3	袁精	燕山大学电力电子节能与传动控制河北省重点实验室	13	15	3.0	3.0
4	崔少威	燕山大学电力电子节能与传动控制河北省重点实验室	3	4	1.0	2.0