结电容对不同光敏元尺寸InGaAs探测器I-V特性测试的影响

• 作者: 徐勤飞 李淘 杨波 贺香荣
• 来源期刊: 光电子
• 学科: 工学
• 关键词: 结电容效应 光伏探测器 INGAAS探测器 I-V特性
• 年，卷（期）: gdz_2019,（1）
• 页码范围: 6-12
• 页数: 7页
• 分类号: TN2

摘要

I-V特性是光伏探测器最重要的表征手段之一。用电压扫描方式对光敏元尺寸为Φ 5 mm的InGaAs探测器进行I-V测试时,在负压方向电流出现了震荡现象。分析认为采样时电压处在变化中,变化的电压会引起积累在P-N结空间电荷和扩散区电荷的改变,形成P-N结电容效应而导致。本文通过测试不同光敏元尺寸探测器的零偏电阻、暗电流和电容,讨论了光敏元尺寸对InGaAs探测器I-V特性测试的影响。结果表明:随着光敏元尺寸增大,探测器的零偏电阻减小,暗电流增大,电容增大。并分析了InGaAs探测器的P-N结电容效应及其对I-V特性测试的影响,当零偏压结电容C >10?8f @2 kHz时,I-V特性曲线在负压方向电流出现了震荡现象,测试过程中可通过限流设置或从正偏压至反偏压测试两种方式避免电流振荡现象,实现大光敏元Φ 5 mm InGaAs探测器I-V特性测试。