空心硅通孔的设计及其传输性能

• 作者: 刘建军 王强文 甘雨辰 郭育华
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 微系统 三维集成 硅通孔(TSV) 射频(RF)传输 低插入损耗
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器
• 页码范围: 999-1004,1009
• 页数: 7页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2019.12.009

摘要

硅通孔(TSV)能够实现信号的垂直传输,是微系统三维集成中的关键技术,在微波毫米波领域,硅通孔的高频传输特性成为研究的重点.针对微系统三维集成中,无源集成的硅基转接板的空心TSV垂直传输结构低损耗的传输要求,进行硅通孔的互连设计和传输性能分析.采用传输线校准方式,首先在硅基转接板上设计TSV阵列接地的共面波导(CPW)传输线和带TSV过孔的传输结构,并分别进行仿真分析,计算得出带TSV过孔的传输结构的插入损耗;然后通过后道TSV工艺,在硅基转接板上制作传输线和带TSV过孔的传输结构,用矢量网络分析仪法测试传输线和带TSV过孔的传输结构的插入损耗;最后计算得到单个TSV过孔的插入损耗,结果显示在0.1～30 GHz频段内其插入损耗S21≤0.1 dB,实现了基于TSV的低损耗信号传输.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘建军	中国电子科技集团公司第三十八研究所	19	18	2.0	2.0
2	郭育华	中国电子科技集团公司第三十八研究所	7	14	3.0	3.0
3	王强文	中国电子科技集团公司第三十八研究所	4	1	1.0	1.0
4	甘雨辰	中国电子科技集团公司第三十八研究所	2	0	0.0	0.0