含有空位缺陷的单晶锗纳米切削过程分子动力学仿真

• 作者: 刘浩 吴绍华 张逸飞 李珊 杨晓京
• 来源期刊: 电子科技
• 学科: 工学
• 关键词: 分子动力学仿真 切削模型 空位缺陷 单晶锗 系统势能 切削力
• 年，卷（期）: 2019,（12）
• 页码范围: 53-57
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 4052字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16180/j.cnki.issn1007-7820.2019.12.011

摘要

针对含有空位缺陷的单晶锗纳米切削过程展开研究,利用分子动力学仿真软件构建了含有空位缺陷的单晶锗切削模型并进行了分子动力学仿真切削.文中从原子角度考虑了切削过程中系统势能的变化、切削力的变化,解释了材料的去除过程和切屑的形成机理,并分析了空位缺陷对切削的影响.结果显示在切削过程中,单晶锗晶体所含空位数越多则基础系统势能越大,且随着切削的进行系统势能逐渐增大.该结果表明空位缺陷的增加会加剧系统的不稳定性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李珊	昆明理工大学机电工程学院	49	220	9.0	14.0
2	杨晓京	昆明理工大学机电工程学院	115	997	17.0	28.0
3	刘浩	昆明理工大学机电工程学院	8	13	2.0	3.0
4	张逸飞	昆明理工大学机电工程学院	4	1	1.0	1.0
5	吴绍华	昆明理工大学机电工程学院	1	0	0.0	0.0