130nm体硅反相器链的单粒子瞬态脉宽特性研究

• 作者: 李赛 陈睿 韩建伟
• 来源期刊: 北京航空航天大学学报
• 学科: 航空航天
• 关键词: 单粒子瞬态(SET) 反相器 CMOS工艺 重离子 脉冲激光
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 页码范围: 1137-1144
• 页数: 8页
• 分类号: V216.5+1
• 字数: 5327字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13700/j.bh.1001-5965.2018.0568

摘要

针对130 nm体硅反相器链,利用脉冲激光和重离子实验研究了目标电路单粒子瞬态(SET)的脉宽特性,并分析了电路被辐射诱发的SET脉宽特性受激光能量、重离子线性能量传递(LET)值、PMOS管栅长尺寸等因素的影响机制.重离子和脉冲激光实验结果类似,均表现为随激光能量、LET值的增加,电路被辐射诱发的SET脉宽逐步增大,且表现出明显的双(多)峰分布趋势,但辐射诱发的SET脉冲个数呈先增加再减少规律.此外,实验结果表明,在不同激光能量、LET值下,PMOS管栅长尺寸影响反相器链SET脉冲的特征不同.当激光能量、LET值较低时,PMOS管栅长尺寸大的电路产生的SET脉宽较大,而当激光能量、LET值较大时,PMOS管栅长尺寸小的电路反而产生更宽的SET脉冲.分析表明,较高激光能量、LET辐照时,寄生双极放大效应被触发可能是导致PMOS管栅长尺寸影响电路SET特征差异的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	韩建伟	中国科学院国家空间科学中心	90	549	14.0	18.0
5	李赛	中国科学院国家空间科学中心	19	199	8.0	14.0
9	陈睿	中国科学院国家空间科学中心	35	512	12.0	22.0