ITO退火工艺对HADS型TFT-LCD透过率的影响

• 作者: 刘增利 叶成枝 向康 吕艳明 安晖 张敏 彭俊林 操彬彬 李恒滨 杨增乾 栗芳芳 金珍 金镇满 陆相晚 陈婷婷
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化铟锡 退火 薄膜晶体管 透过率
• 年，卷（期）: 2019,（5）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 482-488
• 页数: 7页
• 分类号: TN873+.93|TH691.9
• 字数: 2328字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193405.0482

摘要

HADS型TFT基板制程中通常存在两次ITO退火工艺,而Cell制程中则存在相似的配向膜高温烘焙工艺.为提升TFT产线退火工序的产能,因此考虑对ITO退火进行时间上的缩减甚至直接省略,然后利用配向膜烘焙的热处理对前层ITO的结晶进行补偿,但ITO结晶方式的变化还需确保产品高透过率特性.对比实验的结果表明:单层ITO退火时间由30 min缩减至10 min时,产品的透过率基本保持不变;2nd ITO退火直接省略时产品仍具备高的透过率特性,但1st ITO退火省略时产品的透过率则会大幅降低,其主要原因是钝化绝缘层的阻隔导致了1st ITO中的亚氧化物无法被后工段的热处理所氧化,而配向膜涂覆后的2nd ITO在烘焙过程中仍可以与外界高温空气结合反应.在确保产品高透过率的前提下,选择从源头上减少了1st ITO内亚氧化物的产生,通过增加1st ITO成膜时的氧气流量也可以实现1stITO退火的直接省略.最终两次ITO退火均可被配向膜烘焙所替代且产品兼具高透过率特性,最大化地提升了TFT产线的生产效率.