TFT-LCD HADS显示模式下黑白Mura机理研究及设计优化

• 作者: 崔晓鹏 林鸿涛 薛海林 袁帅 邵喜斌 郑箫逸 陈维涛
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 黑白Mura 对位偏移 氧化铟锡膜 电场 均一
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 261-266
• 页数: 6页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 3433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20193403.0261

摘要

随着高分辨率TFT-LCD HADS产品的开发,一种与像素ITO图形密切相关、有明暗(黑白)亮度差异、不同视角观察下存在黑白反转现象的Mura不良高发.经过对不良产品的参数测量和模拟分析,确定发生该不良的原因是在邻近区域内,像素开口区内的像素电极ITO(1ITO)图形和公共电极ITO(2ITO)图形发生了不同程度的相对偏移,电场分布存在差异,因此亮度发生明显差异;而且由于图形间的相对偏移导致电极间的电场发生偏移,形成像素左右两侧的一侧为强电场,一侧为弱电场,因而会出现从一侧观察发亮而从另一侧观察发暗、左右视角观察的黑白反转现象.Mura区与相邻OK区1ITO?2ITO对位差异为0.5μm.通过1ITO和2ITO的线宽设计优化,可提高产品对此偏移不均一的容忍度.最终采用最佳1ITO、2ITO线宽条件生产,配合1ITO和2ITO共用设备及TP非线性补正等条件并举,此不良由高发时的14.2％降至0.2％以下.本文研究成果对于高分辨率HADS产品的设计和性能改善,有着重要的指导和参考意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	林鸿涛		6	18	3.0	4.0
2	袁帅		5	9	2.0	2.0
3	邵喜斌		13	27	3.0	4.0
4	崔晓鹏		4	5	1.0	2.0
5	陈维涛		9	15	2.0	3.0
6	郑箫逸		1	1	1.0	1.0
7	薛海林		1	1	1.0	1.0