ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响

• 作者: 操彬彬 文锺源 杨成绍 林致远 王章涛 邹志翔 黄寅虎
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 高开口率高级超维场转换技术 非晶硅 薄膜电晶体 Poole-Frenkel
• 年，卷（期）: 2016,（4）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 370-374
• 页数: 5页
• 分类号: TN873+.93
• 字数: 1843字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163104.0370

摘要

通过不同TFT几何结构验证ITO像素电极工序对于HADS产品TFT特性的影响.实验结果显示TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者有比现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)更高的Ion,提升比率达到40％.推测主要原因为现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)在Si岛完成后进行ITO像素电极工序增加了N+与源漏极之间接触阻抗导致Ion降低.对于H ADS产品,倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)可以具有更好的TFT特性表现.对现行HADS结构,在沟道形成工序前的N+表面ITO残沙程度越少则Ioff越低;对于倒反HADS结构,沟道形成之后沟道表面ITO残沙程度对则对TFT特性没有明显影响.对于Poole-Frenkel区域,现行HADS结构(ITO像素电极→源漏极)比TN5mask与倒反HADS结构(源漏极→ITO像素电极)二者较低Ioff[Vg=-20 V],下降达50％,主要为N+与源漏极之间接触阻抗增加的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄寅虎		3	2	1.0	1.0
2	王章涛		3	2	1.0	1.0
3	林致远		2	0	0.0	0.0
4	杨成绍		2	0	0.0	0.0
5	邹志翔		2	0	0.0	0.0
6	操彬彬		1	0	0.0	0.0
7	文锺源		2	0	0.0	0.0