TFT制程中高厚度ITO残留因素的研究

• 作者: 刘英伟 杜建华 王灿 王路 薛大鹏 赵磊 郭炜 陈宁
• 来源期刊: 液晶与显示
• 学科: 工学
• 关键词: 薄膜晶体管 非晶氧化铟锡 残留 成膜 刻蚀
• 年，卷（期）: 2016,（3）
• 所属期刊栏目: 材料与器件
• 页码范围: 276-282
• 页数: 7页
• 分类号: TN141.9
• 字数: 2779字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/YJYXS20163103.0276

摘要

氧化铟锡(ITO)是薄膜晶体管工艺中最常用的透明导电薄膜,随着OLED技术的发展,ITO作为透明阳极材料也被广泛应用.在高厚度(尤其是大于70 nm)非晶ITO工艺过程中,由于多种因素的影响,很容易产生残留,发生残留后会严重影响产品质量和项目进度.本文通过多次实验测试,综合多种不同厚度,尤其是针对高厚度非晶ITO,分析了TFT制程中影响残留的多种因素,考察重点因素及影响规律,有效地修正工艺条件,为之后的项目和生产过程提供了很好的参考价值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王灿		1	0	0.0	0.0
2	陈宁		1	0	0.0	0.0
3	刘英伟		1	0	0.0	0.0
4	赵磊		1	0	0.0	0.0
5	薛大鹏		1	0	0.0	0.0
6	杜建华		1	0	0.0	0.0
7	郭炜		1	0	0.0	0.0
8	王路		1	0	0.0	0.0