非晶半导体薄膜用Te系化合物靶材制备

• 作者: 储茂友 刘宇阳 张朝 桂涛 潘兴浩 王星明 白雪
• 来源期刊: 工程科学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 非晶半导体 粉体 靶材 TeAsGeSi 致密化
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 页码范围: 224-229
• 页数: 6页
• 分类号: TQ125.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.13374/j.issn2095-9389.2019.02.009

摘要

采用真空熔炼法,经急冷和缓冷两种不同冷却条件制备了Te系化合物TeAsGeSi合金粉体.通过X射线衍射分析,急冷工艺制备粉体呈非晶态,缓冷工艺制备的粉体呈晶态,结晶主相为R-3m空间群的As2 GeTe4;差热-热重分析显示,升温至350℃时缓冷粉体As2 GeTe4成分熔融,400℃时两种粉体均开始快速失重,为避免制备过程中发生材料熔融及挥发损失,确定烧结温度不超过340℃.采用真空热压法制备TeAsGeSi合金靶材,将两种粉体分别升温至340℃,加压20 MPa,保温2 h制备出两种靶材,其中缓冷粉体制备的靶材致密度高,为5.46 g·cm-3,达混合理论密度的99.5％,形貌表征显示此靶材表面平整,孔洞少,元素分布均匀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	储茂友		25	211	10.0	14.0
2	白雪		13	34	3.0	5.0
3	刘宇阳		8	3	1.0	1.0
4	王星明		24	157	9.0	12.0
5	潘兴浩		1	0	0.0	0.0
6	桂涛		3	2	1.0	1.0