数字递变异变赝衬底上2.6μm In0.83Ga0.17As/InP光电探测器的性能改进

• 作者: 师艳辉 张永刚 杨楠楠 陈星佑 顾溢 马英杰 龚谦
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: 数字递变 异变 缓冲 InGaAs 光电探测器
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 页码范围: 275-280
• 页数: 6页
• 分类号: TN215
• 字数: 1466字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.03.003

摘要

研究了In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48As数字递交异变缓冲层结构(DGMB)的总周期数对2.6 μm延伸波长In0.83Ga0.17As光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层厚度不变的情况下,通过将在InP衬底上生长的In0.83Al0.17As/In0.52Al0.48AsDGMB结构的总周期数从19增加到38,其上所生长的In0.83Ga0.17As/In0.83Al0.17As光电二极管材料层的晶体质量得到了显著改善.对于在总周期数为38的DGMB上外延的In0.83Ga0.17As光电二极管,观察到其应变弛豫度增加到99.8％,表面粗糙度降低,光致发光强度和光响应度均增强,同时暗电流水平被显著抑制.这些结果表明,随着总周期数目的增加,DGMB可以更有效地抑制穿透位错的传递并降低残余缺陷密度.