含有超晶格电子势垒的In0.83Ga0.17 As探测器暗电流仿真和验证

• 作者: 唐恒敬 曹高奇 李庆法 李雪 邓双燕 邵秀梅 龚海梅
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: In0.83Ga0.17 As探测器 超晶格电子势垒 暗电流 TCAD仿真
• 年，卷（期）: 2016,（6）
• 页码范围: 662-666
• 页数: 5页
• 分类号: TN215
• 字数: 1359字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2016.06.005

摘要

为了获得In0.83Ga0.17As探测器的暗电流机制,采用了TCAD软件对吸收层中含有和不合有超晶格电子势垒的p-i-n结构探测器暗电流特性进行仿真,并开展了器件验证.结果表明,超晶格势垒可以调整器件的能带结构,改变载流子传输特性,降低SRH复合,从而降低器件的暗电流,仿真结果与实验结果吻合.在此基础上,分析了势垒位置和周期变化对暗电流的影响,提出了进一步降低器件暗电流的超晶格电子势垒优化结构.