基于GaN HEMT的混合EF类功率放大器设计

• 作者: 刘国华 孙昊 张志维 程知群 蔡勇
• 来源期刊: 微波学报
• 关键词: 高效率 GaN HEMT 补偿输出电容 EF类功率放大器 谐波控制
• 年，卷（期）: 2019,（2）
• 所属期刊栏目: 学术论文与技术报告
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 语种: 中文
• DOI: 10.14183/j.cnki.1005-6122.201902008

摘要

基于GaN HEMT提出了一种3.5 GHz频率的高效率混合EF类功率放大器.采用输出端并联谐振电感来补偿晶体管的输出电容,提高了混合EF类功放的工作频段,使其能在3.5 GHz频率下达到高效率.使用简单的微带传输线构成谐波控制和匹配网络,满足混合EF类功放基波、奇次谐波和偶次谐波的阻抗特征,同时完成与50 Q负载阻抗的匹配.测试结果显示,在3.3～3.8 GHz频段内,在1dB压缩点处输出功率达到40 dBm,漏极效率75％～ 79％,增益11.5～12.3 dB.