高能X射线辐照对NPN双极晶管体可靠性的影响

• 作者: 孙启军 宋晓娜 施森瀚 林德峰 薛海峰
• 来源期刊: 现代应用物理
• 学科: 航空航天
• 关键词: 晶体管 辐照 退火 高温储存 可靠性
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 辐射效应及加固技术
• 页码范围: 57-61
• 页数: 5页
• 分类号: V520.6
• 字数: 1934字
• 语种: 中文
• DOI: 10.12061/j.issn.2095-6223.2019.010603

摘要

对NPN型双极晶体管3ED6H进行了总吸收剂量为500,1 000,3 000,5 000 Gy(Si)高能X射线辐照,辐照后进行了室温退火和168 h高温存储试验,测量了各试验阶段器件的性能参数,分析了高能X射线对器件的损伤机理并评估了器件的可靠性.结果 表明:1)在器件SiO2氧化层产生的固定正电荷和在Si/SiO2界面产生的界面态,是晶体管电流增益hFE下降的主要原因;2)高温存储会使辐射感生产物退火,电流增益和存储前相比会略微上升.