基于HfNx:Zn薄膜的负微分阻变存储器

• 作者: 严梓洋 凡井波 张雪 李壮壮 王中强 齐猛
• 来源期刊: 物理实验
• 学科: 物理学
• 关键词: 阻变存储器 氮化铪薄膜 氮空位缺陷 负微分电阻
• 年，卷（期）: 2019,（6）
• 所属期刊栏目: 近代物理与综合实验
• 页码范围: 16-22
• 页数: 7页
• 分类号: O471
• 字数: 3648字
• 语种: 中文
• DOI: 10.19655/j.cnki.1005-4642.2019.06.003

摘要

基于HfNx:Zn薄膜材料制备了阻变式随机存储器,获得了良好的阻变可靠性,并观察到负微分电阻现象.Au/HfNx:Zn/Pt器件表现出快速的擦写速度(<150 ns)、优异的循环耐受性(>103)、长时间保持性(85℃时>105 s)、较小的开启/关闭电压波动性(3.5％/8.5％)和较低的高阻/低阻波动性(13.5％/10.1％).Zn元素的掺入为薄膜引入了大量的N空位缺陷态,根据器件运行的I-V拟合曲线,得知器件阻变机制与N空位缺陷的存在有直接的关系.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张雪	东北师范大学物理学院	32	80	5.0	8.0
2	李壮壮	东北师范大学物理学院	2	0	0.0	0.0
3	齐猛	东北师范大学物理学院	1	0	0.0	0.0
4	凡井波	东北师范大学物理学院	1	0	0.0	0.0
5	严梓洋	东北师范大学物理学院	1	0	0.0	0.0