离子束溅射镀膜设备及工艺技术研究

• 作者: 罗超 胡凡 范江华 陈特超
• 来源期刊: 电子工业专用设备
• 学科: 工学
• 关键词: 离子束溅射 SiO2薄膜 沉积速率 均匀性
• 年，卷（期）: 2019,（4）
• 所属期刊栏目: 半导体制造工艺与设备
• 页码范围: 25-28
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.8
• 字数: 2473字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4507.2019.04.007

摘要

利用离子束溅射镀膜设备研究了溅射SiO2薄膜的沉积速率与工艺参数(离子束能量、离子束流、氧气流量和靶基距)之间的关系以及薄膜均匀性修正技术.实验结果表明:SiO2薄膜沉积速率随着离子束能量与离子束流增加而增大,随着氧气流量的增加先减小后增大;采用修正板技术后薄膜均匀性明显提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈特超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	21	38	3.0	5.0
2	罗超	中国电子科技集团公司第四十八研究所	7	2	1.0	1.0
3	胡凡	中国电子科技集团公司第四十八研究所	4	5	2.0	2.0
4	范江华	中国电子科技集团公司第四十八研究所	3	2	1.0	1.0