不同层面缺陷地对功率放大器的影响

• 作者: 李贺
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 缺陷地 功率放大器 特征阻抗 二次谐波 功率附加效率
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性
• 页码范围: 44-48
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2310字
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2019.1011

摘要

论述了位于不同层面的缺陷地结构(DGS)应用于功率放大器的设计.一种是在微带线的两侧接地面刻蚀DGS,另一种是在微带线的背面接地刻蚀DGS,通过ADS Momentum仿真确定DGS的尺寸,并将这两种DGS应用到一款4W功率放大器中进行仿真和实际制板测试.实测结果显示在微带线两侧接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.76 dBm时改善二次谐波13dB,且输出功率和功率附加效率(PAE)优于不刻蚀DGS的功率放大器.在微带线背面接地面刻蚀DGS的功率放大器在输出功率为34.21 dBm时改善二次谐波28 dB,由于DGS结构改变了正面微带线的特征阻抗,所以输出功率和功率附加效率低于不刻蚀DGS的功率放大器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李贺		1	0	0.0	0.0