半导体硅片酸腐蚀后形状实验研究

• 作者: 周旗钢 宁永铎 张建 汪奇 赵伟 钟耕杭
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体硅片 酸腐蚀 总厚度差 硅片形状
• 年，卷（期）: 2019,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1062-1067
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13373/j.cnki.cjrm.XY18030026

摘要

以半导体硅片制备工艺中的酸腐蚀过程为研究对象,采用硅片几何参数检测设备的原始数据为数据源,借助空间统计手段和数据可视化技术,基于实验研究酸腐蚀过程中硅片的转动、外加气泡扰动因素对半导体硅片酸腐蚀后形状的影响.通过实验数据分析,建立硅片酸腐蚀剥离去除量的分布与相应各因素之间的经验模型,根据各实验条件的腐蚀去除量的分布,结合酸腐蚀的化学反应机理,分析不同工艺条件下硅片形状的成因.实验结果表明:富硝酸体系中,在同等酸液配比条件下,腐蚀剂相对于硅材料表面的流速会影响化学反应中的物质交换效率,化学腐蚀速率与腐蚀剂相对流动速率显著相关;硅片的转动速率、外界引入的气泡扰动都会影响酸液的流动特征,进而改变物质交换效率的空间分布,最终影响硅片腐蚀后的形状.研究表明,硅片酸腐蚀后的几何形状受漩涡效应和边缘效应的共同影响.用宏观去除量模型、漩涡效应和边缘效应的经验模型叠加构造酸腐蚀硅片的经验模型,验证结果显示模型误差较小,可以预报在转动、气泡二因素交互作用下,酸腐蚀后硅片的几何形状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周旗钢		35	176	8.0	12.0
2	宁永铎		2	3	1.0	1.0
3	钟耕杭		3	3	1.0	1.0
4	张建		2	0	0.0	0.0
5	赵伟		3	3	1.0	1.0
6	汪奇		2	3	1.0	1.0