基于GaN器件的平衡式逆F类功率放大器的研究与设计

• 作者: 南敬昌 张鹏俊 李蕾 高明明
• 来源期刊: 重庆邮电大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 平衡结构 逆F类功率放大器 GaN 谐波抑制 驻波系数
• 年，卷（期）: 2019,（1）
• 所属期刊栏目: 通信与电子
• 页码范围: 80-88
• 页数: 9页
• 分类号: TN722
• 字数: 3322字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3979/j.issn.1673-825X.2019.01.011

摘要

针对功率放大器效率低和输入输出端反射损耗较大的缺陷, 采用平衡式结构研究了工作于2.6 GHz的逆F类功率放大器, 并基于GaN器件CGH40010F设计该放大器验证电路.根据功放管输出寄生参数的等效网络, 将负载阻抗转换到封装参考面上, 在输出匹配电路中对二、三次谐波进行抑制处理.并且考虑栅源寄生电容对输入信号的影响, 在输入拓扑结构中加入二次谐波抑制电路, 进一步提高了放大器的效率.同时, 在栅漏极偏置电路中, 采用扇形微带线代替短路电容, 使电路结构更为紧凑.经仿真优化, 采用Rogers4350b板材制作该功放电路板.实测表明, 饱和输出功率为42.32 d Bm, 最大漏极效率为77.91％, 最大功率附加效率 (power added efficiency, PAE)达到72.16％, 输入输出驻波系数 (voltage standing wave ratio, VSWR)均小于2.实测结果与仿真数据基本吻合, 验证了设计方法的可行性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	南敬昌	辽宁工程技术大学电子与信息工程学院	143	665	12.0	15.0
2	高明明	辽宁工程技术大学电子与信息工程学院	59	194	8.0	10.0
3	张鹏俊	辽宁工程技术大学电子与信息工程学院	2	2	1.0	1.0
4	李蕾	辽宁工程技术大学电子与信息工程学院	17	75	5.0	8.0