基于谐波抑制的内匹配高效GaN功率放大器设计

• 作者: 张书源 钟世昌
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 内匹配 高效率 谐波抑制 功率放大器
• 年，卷（期）: 2019,（3）
• 所属期刊栏目: 电子电路设计分析及应用
• 页码范围: 608-612
• 页数: 5页
• 分类号: TN722.7
• 字数: 2763字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2019.03.014

摘要

采用了内匹配技术和谐波抑制技术,设计并实现了一款3.8 GHz～4.2 GHz的功率放大器设计.该放大器采用南京电子器件研究所自主研制的的GaN HEMT管芯芯片.通过优化设计该放大器在10%的相对带宽、漏源电压28 V、10%占空比的脉冲输入的工作条件下,实现了输出峰值功率Pout大于40 W,漏极输出功率效率大于60%,充分显示了GaN功率器件宽带、高效和高功率的工作性能,具有广阔的工程应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟世昌		15	22	3.0	3.0
2	张书源		2	4	2.0	2.0